メモリ半導体（DRAM・NAND）サプライチェーン 相関図

矢印は「川上 → 川下」の供給の流れ。素材と製造装置がDRAM／NANDのIDM製造を支え、後工程を経て最終需要へ届きます。GPU・ロジックは半導体（GPU・ロジック）の相関図に、AI向けHBMの積層はHBMの相関図に分けています（GPUとメモリはデータセンターで合流）。
＋の付いた企業（Samsung・SK hynix・キオクシア・Lam Research）はクリックで取引先・顧客が開きます。

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素材・部材

シリコンウェハ・レジスト・特殊ガス・CMP材など。ロジックと共通の素材も多いが、3D NANDの多層化で薬液・ガスの比重が高い。

信越化学🇯🇵 約30% ウェハ ＋ SUMCO🇯🇵 約22% ウェハ JSR🇯🇵 レジスト 東京応化工業🇯🇵 レジスト 富士フイルム🇯🇵 レジスト/CMP材 関東電化🇯🇵 特殊ガス 大陽日酸🇯🇵 産業ガス レゾナック🇯🇵 材料 フジミインコーポレーテッド🇯🇵 CMPスラリー

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製造装置

露光・成膜・エッチング・検査。DRAMはEUV露光、3D NANDは高アスペクト比エッチング（積層エッチ）が鍵。

ASML🇳🇱 EUV約100% EUV露光 Lam Research🇺🇸 メモリ向け要 3D NANDエッチング ＋ Applied Materials🇺🇸 成膜 東京エレクトロン🇯🇵 成膜/コータ KLA🇺🇸 検査 アドバンテスト🇯🇵 ATE約57% メモリテスタ SCREEN🇯🇵 洗浄 日立ハイテク🇯🇵 検査/エッチング

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DRAM 製造（IDM）

設計と製造を一体で行うIDMが3社に寡占。AI向けHBMを追い風に、2025年はSK hynixがSamsungを抜き首位（売上ベース）。

SK hynix🇰🇷 約36% DRAM/HBM ＋ Samsung🇰🇷 約34% DRAM ＋ Micron🇺🇸 約24% DRAM/HBM

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NAND フラッシュ 製造（IDM）

不揮発の大容量メモリ。多層化（200層超）で競争。SSDの中核。DRAMより分散し、上位5社が拮抗（2025年3Qシェア）。

Samsung🇰🇷 約32% NAND SK hynix🇰🇷 約19% NAND/Solidigm キオクシア🇯🇵 約15% NAND ＋ WD/SanDisk🇺🇸 約12% NAND（キオクシア提携） Micron🇺🇸 約11% NAND

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後工程・モジュール（HBM・SSD）

チップを積層・実装してHBM・DIMM・SSDに。AI向けHBMは積層・接合が要で、詳細はHBMの相関図に。

SK hynix🇰🇷 HBM首位 HBM積層 ＋ Samsung🇰🇷 HBM/モジュール Micron🇺🇸 HBM/モジュール ASE🇹🇼 OSAT（実装） Amkor🇺🇸 OSAT（実装） Seagate🇺🇸 HDD/SSD

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最終需要

AI・データセンターがHBM・高速DRAMを牽引。NANDはSSDとしてサーバ・PC・スマホへ。

AI・データセンター HBM/高速DRAM スマートフォン PC サーバ（SSD）

※ 各レイヤーの代表例であり網羅ではありません。市場シェアは公知の各種調査に基づく概算・目安で、時期・調査機関により変動します。企業は複数レイヤーにまたがる場合があります。取引関係も主要なものの抜粋です。